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OLED坩埚
OLED是正在新兴的一种先进显示技术。
OLED坩埚作为OLED生产线上蒸发元的主要容器使用。¥ 0.00立即购买
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MBE 坩埚
MBE 坩埚在分子束外延(MBE)法中主要用作束源坩埚。分子束外延(MBE)法主要用于晶体的外延生长。¥ 0.00立即购买
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VFG 坩埚
VGF 坩埚作为垂直梯度凝固法(VGF)生长化合物单晶的容器、是目前国际上生长 GaAs、In 等化合物半导体单品的主流技术。¥ 0.00立即购买
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LEC坩埚
LEC 坩埚主要作为液封直拉法(LEC)技术生长单晶中的生长容器、是用液态覆盖剂封闭熔体控制挥发组分实现半导体晶体生长的方法。¥ 0.00立即购买
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PBN板
PBN 环、片广泛应用于 OLED 工艺的蒸发元及高温真空、MBE设备的绝缘垫片、支架等。¥ 0.00立即购买
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PBN厚板
PBN 环、片广泛应用于 OLED 工艺的蒸发元及高温真空、MBE设备的绝缘垫片、支架等。¥ 0.00立即购买
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PBN圆环、长条
PBN 环、片广泛应用于 OLED 工艺的蒸发元及高温真空、MBE设备的绝缘垫片、支架等。¥ 0.00立即购买
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PBN 涂层
在高温真空高纯的环境下,PBN 常用来对设备中石墨等部件进行涂层保护,PBN 涂层可以防止石墨发热体在高温下发生挥发。¥ 0.00立即购买
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PG-热解石墨涂层
PG(热解石墨)涂层坩埚分为 PBN 基底 PG 涂层和石墨基底 PG 涂层两类,主要用于 OLED 镀膜设备用的蒸发坩埚。¥ 0.00立即购买
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PBN+PG+PBN 复合加热器
PBN+PG+PBN 复合加热器是一种应用于极端高温、高洁净度环境(尤其是半导体外延生长设备如 MOCVD)的高性能加热器通常作为承载晶圆(衬底)的基座(Susceptor)的核心发热部件¥ 0.00立即购买
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碳化硅(CVD-SiC)涂层
碳化硅(CVD-SiC)涂层,基底可以是石墨、碳碳复合材料及反应烧结碳化硅、无压烧结碳化硅等,分为绝缘和导电两种涂层。主要用于半导体制造的石墨件涂层及航空航天高温领域。¥ 0.00立即购买
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碳化硅(CVD-SiC)片
CVD-SiC 一般以石墨为衬底,沉积到一定厚度,移除基底,得到高纯度 CVD-SiC 板材,因其高热导率、低热膨胀系数、化学稳定性和光学性能,使其成为支撑极紫外光刻、太空探索、先进半导体制造等顶级科技领域不可或缺的“基石“材料。¥ 0.00立即购买
所有服务
PRODUCT SERVICE
一、产品简介
热解氮化硼(PBN)属于六方晶系,为先进陶瓷材料,纯度可以达到99.999%,耐酸碱,抗氧化,导热性好,致密,可加工。它在高温、高真空条件下,由氨和硼的卤化物进行化学气相沉积(CVD)而成,既可以制备PBN板材,也可以直接制备坩埚,舟,涂层等PBN最终产品。
二、主要特点
它与普通的热压氮化硼(BN)不同,不必经过传统的热压烧结过程,不添加任何烧结剂,因此获得的产品具有如下显著特点:
(1) 无毒、无味;
(2) 纯度高,达到99.999%以上;
(3) 室温下与酸、碱、盐及有机试剂不反应,在熔融的盐、碱液中略腐蚀,但能抗高温下各种酸的腐蚀;
(4) 与大多数熔融金属、半导体及其化合物不反应;
(5) 在1000℃以下,抗氧化性能良好;
(6) 抗热震性能良好,2000℃投入水中未见裂纹;
(7) 使用温度高,无升华点,在3000℃以上直接分解为B和N;
(8) 电阻高,电绝缘性能好;
(9) 表面光滑,无气孔,与大多数半导体熔体不湿润。
三、产品应用
(1) OLED 蒸发单元
(2) 半导体单晶生长(VGF、LEC)坩埚
(3) 分子束外延(MBE)蒸发坩埚
(4) MOCVD 加热器
(5) 多晶合成舟
(6) PBN红外窗口
(7) 卫星通讯微波管
(8) PBN涂层载盘
(9) 高温、高真空设备绝缘板
四、主要性能参数
| 主要参数 | 单位 | 数值 |
|---|---|---|
| 密度 | g/cm3 | 1.95-2.20 |
| 抗张强度 | MPa | 112 |
| 抗弯强度 | MPa | 298 |
| 耐压强度 | MPa | 154 |
| 杨式模量 | GPa | 18 |
| 热导率 | W/m°C | "a" 60 - 153 "c" 2-3 |
| 比热容 | J/g·℃ | 0.90(RT) |
| 电阻率 | Ω.cm | 2×1015 |
| 介电强度 | D.C. volts/mm | 2x105 |
| 介电常数 | "c"3.07 |